24小时服务热线
18790282122
碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...
2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2的 为了确保碳化硅材料的质量和性能稳定，需要进行化学分析以确定其组成、杂质含量和表面性质等。 碳化硅的化学分析方法主要包括元素分析、杂质分析和表面性质分析等。碳化硅化学分析方法_百度文库
了解更多
碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网
2011年3月22日 摘要：介绍了六个SiC含量测定的国家标准和碳化硅原料以及含碳化硅耐火材料中SiC含量测定的化学 分析方法。 关键词：SiC含量测试方法碳化硅原料含碳化硅耐 2019年10月10日 本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、 定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓 度及分布的二 ...
了解更多
碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
2023年6月12日 化硅材料的痕量杂质浓度的标准属于空白领域，本文件的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及 产业应用具有较强的积极作用。 T/CASAS 032—2023碳化硅化学分析方法. 1.1. 取具有统计代表性的结晶块，破碎至完全通过2mm筛网，混匀，用四分法缩分至50g～60g。 继续用钢玉研钵研细至全部通过355μm筛网。 用吸 碳化硅化学分析方法_百度文库
了解更多
碳化硅检测项目及相关标准和方法_杂质_表面_二氧化硅
2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系 摘要：. 碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为 碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术
了解更多
碳化硅晶界杂质的第一性原理分析,Acta Materialia - X-MOL
2021年10月30日 在这项研究中，我们使用第一性原理方法详细研究了点缺陷的形成能和块状立方碳化硅 (3C-SiC) 和 3C-SiC 晶界 (GB) 中各种掺杂剂的稳定性。 详细的电荷分布 2019年11月22日 内的残留的气体会直接影响二次离子产额。7 试样准备7.1标准样品需要一个共掺杂或分别掺杂铝、钒的碳化硅标准样品,样品尺寸约为10 mm×10 mm ,且27Al+、51V+的体浓度经过各方都认同的其他测量方法测定,浓度在(1~10)×10. 内,分布均匀性在5 %以内,保证标准样品表面 ...半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次 离子质谱 ...
了解更多
GB╱T 3045-2017 普通磨料 碳化硅化学分析方法.pdf-全文可读
2021年6月3日 本标准做了如下编辑性修改: ——— 《 》。. 将标准名称修改为 普通磨料 碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。. ( / ) 。. 本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会 SACTC139归口 : 、 、 本标准起草单位 郑州磨料磨具磨 2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析 ，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T ...碳化硅检测项目及相关标准和方法_杂质_表面_二氧化硅
了解更多
碳化硅化学分析方法_百度文库
碳化硅化学分析方法. 计算结果精确到0.01。. 允许误差按表1的规定。. 试样经氢氟酸-硝酸-硫酸处理使游离硅及二氧化硅生成挥发性的四氟化硅逸出；F400以细的微粉只用氢氟酸处理，用盐酸浸取使表面杂质溶解，测定残留物量即为碳化硅的含量（F400以细的微粉需 ...2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。. 本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T 3045标 碳化硅检测项目及相关标准和方法二氧化硅氧化镁碳化硅 ...
了解更多
国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子 ...
2020年9月23日 1国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速度等独特的物理与电学特性，特别适合制备高电压、高功率 ...2024年3月20日 A: GB/T 3045是《普通磨料 碳化硅化学分析方法》的国家标准，它规定了对碳化硅各种成分进行测定的方法和步骤，包括表面杂质、二氧化硅、游离硅、游离碳、酸处理失量、碳化硅、三氧化二铁、三氧化二铝、氧化钙和氧化镁等。. 该标准参考了国际标准ISO 9286:1997 ...碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅 ...
了解更多
T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及 ...
2024年3月23日 T/CASAS 009-2019. 适用范围. 半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。. 二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。. 目前我国以二 Explore a wide range of topics and discussions on Zhihu's dedicated column page, offering insights and perspectives from various experts.知乎专栏
了解更多
重结晶碳化硅烧成中碳化硅的分解现象、热力学条件及对蒸发 ...
4 结论. （1）根据实验和热力学分析，在非标准状态下，SiC原料杂质含量高时，在高温2700K条件下，SiC有显著分解挥发现象。. （2）SiC原料杂质含量高，高温下导致分解，SiC分解又会影响重结晶碳化硅烧结中的碳化硅的蒸发与凝聚。. （3）降低和控制国 2014年6月10日 游离硅的存在不可避免地影响碳化硅的性能，因此游离总硅含量是碳化硅工业中常规检测项目。. 目前硅含量的测定一般采用化学法——硅钼蓝法离总硅含量，但该方法存在一些问题： (1) 无法确定测得的游离总硅是来自于样品表面还是内部或兼而有之； (2) 硅 等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量 - 道客巴巴
了解更多
LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网
2018年11月18日 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 2018.11.18. 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。. 痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响 [1]，因此测定碳化硅中微量 ...2022年5月20日 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（送审稿）编制说明一工作简况1.立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作，是第三代宽带隙半导体材料的重要组成 ...碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法编制说明
了解更多
国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子 ...
2020年9月24日 国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明.doc,PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明（预审稿） 一、工作简况 1.立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场 ...2024年7月11日 摘 要：采用SIMS相对灵敏度因子法，对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。. 通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测得RSF值，实现了碳化硅中硼杂质含量的精确定量检测。. 碳化硅中硼的检测限可达到1e14atoms/cm3。. 关键词：碳化硅；二次离子 ...碳化硅晶体中硼含量的SIMS定量分析方法研究-不知不识网
了解更多
碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术
碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮.消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收.用标准盐酸溶液滴定,根据标准盐酸溶液 ...5.碳化硅的测定. 5.1方法提要. 试样经氢氟酸一硝酸一硫酸处理使游离硅及二氧化硅生成挥发性的四氟化硅逸出；W28以下的微粉只用氢氟酸处理。. 用盐酸浸取使表面杂质溶解，测定残留物量即为碳化硅的含量。. 或由测定的总碳及游离碳的量计算而得。. 5.2试剂. 5. ...碳化硅检测标准_百度文库
了解更多
碳化硅中杂质标准-分析测试百科网
2024年4月10日 德国标准化学会 ，关于碳化硅中杂质的标准. DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率. DIN EN 15979:2011-04 陶瓷原材料和基础材料的检测 直流电弧激励OES直接测定碳化硅 ...2024年6月29日 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。 注1:碳化硅单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子数计。GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 ...
了解更多
碳化硅_化工百科 - ChemBK
2024年1月2日 1. 碳化硅的高耐热性和化学稳定性，它常被用作高温结构材料，例如高温炉管、炉垫和砂轮等。 2. 碳化硅在电子行业中应用广泛，如制造高功率半导体器件、集成电路和光电子元件等。 3. 它也被用作陶瓷工艺中的辅助材料，例如制作陶瓷模具和陶瓷喷嘴。 制 2024年7月14日 GB/T 41153-2021. 引用标准. GB/T 14264 GB/T 22461 GB/T 32267. 适用范围. 本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。. 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮 ...GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 ...
了解更多
碳化硅化学成分分析_百度文库
碳化硅化学成分分析. 一、碳化硅含量测定的操作步骤：. 1、试样的制备：. 取有代表性的样品10g左右，置102℃的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。. 2、清洗烘干铂皿。. 将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中，于低温炉中煮沸10-20，然后于烘箱中 ...2011年3月22日 由于碳化硅形成过程比较复杂,制备样粒度大. 小影响测试结果,碳化硅颗粒中一般都包着少量的. 炭、石英、方石英及其他杂质,我们做过通过0.15. mm和0.3mm筛网的同一试样,结果0.3mm粒度. 的误差比0.15mm的大,所以采用0.15mm粒度。. 3方法对比. 同国内商检局的检测碳化硅 ...碳化硅含量的测定方法 - 豆丁网
了解更多
碳化硅中游离碳的分析
碳化硅（SiC）因其耐热性和硬度而被用作磨料和耐火材料。由于在生产过程中含有游离碳，会对烧结产品的强度等产生不利影响，有必要对游离碳含量进行定量检测。使用氢氟酸法的传统测量（湿法，符合JIS）是危险的，测量前需要三天或更长时间制备样品。2020年10月14日 2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明.pdf,国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明（征求意见稿） 一、工作简况 1.立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电 场、高热导 ...2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 ...
了解更多
碳化硅化学成分分析 - 豆丁网
2019年3月13日 碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤：1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。2、清洗烘干铂皿。将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中，于低温炉中煮沸10-20，然后于烘箱中干燥，取出放入干燥器内冷却备用。2023年5月22日 YS/T 1600-2023 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法，在国际标准分类中归属于: 77.040.30 金属材料化学分析。 YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法的最新版本是哪一版？ 最新版本是 YS/T 1600-2023YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光 ...
了解更多